Sic | search
Click here to view Sic news from 60+ newspapers.
Bookmark or Share- 瑞士sic种植体怎么样？ - 知乎瑞士sic种植体价格一般在7500~13800元左右，根据不同地区经济发展水平、医生技术、个人种植方案等会存在差异。 瑞士SIC种植体特点. 瑞思sic种植牙共有四种型号，分别是SICace、SIC临时性种植体、SICmax一段式种植体，SICmax、适用于不同的牙齿种植修复等情况。
- 功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异？ - 知乎功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异？ 材料性质：硅基材料在击穿电场强度、热导率、饱和电子漂移速率等方面与SiC相比均存在明显劣势。 具体来说，SiC的击穿电场强度是硅的10倍，热导率约为硅的…
- 第三代半导体，碳化硅SiC与氮化镓GaN，它俩谁会在未来更有优势呢？ - 知乎SiC 器件主要由英飞凌、安森美、罗姆和 Wolfspeed 提供。 在电力电网应用方面，由于电压极高，SiC 器件非常适合用于额定电压为 3 kV 及以上设备的超高压功率转换，可实现稳定电网、将交流电转换为直流电并在传输级电压下再次转换回交流电等。
- SiC,SiF4和SiBr4熔点大小比较（工程化学基础）？ - 知乎sic是原子晶体 不是分子晶体，原子晶体靠共价键链接，分子晶体靠分子间作用力链接，所以原子晶体比分子晶体熔点大，分子晶体熔点与分子相对原子质量成正比。望采纳，纯手打，谢谢！
- SiC MOSFET导通电阻和什么有关，我看到相同电压电流等级的Rdson，SiC的比IGBT还大? - 知乎相反，当 SiC 被氧化时，它的一些碳被困在 SiO2/SiC 界面上，当电子从下方通过时，它们会碰撞和散射电子。因此，SiC 的沟道迁移率约为 20-30 cm2/V.s，因此 SiC 中每单位长度的沟道电阻是 Si 中的 10 倍。 衬底电阻来自SiC的N+起始衬底，具有较高的电阻率。
More
