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知乎,让每一次点击都充满意义 —— 欢迎来到知乎,发现问题背后的世界。
知乎是一个问答社区,用户可以在这里发现问题背后的世界,分享知识和见解。
砷化镓和硅哪个适合做高频器件?哪个适合做光电器件? - 知乎
在 高频信号 快速变化的情况下,砷化镓中的电子能及时跟随信号作出响应,用 砷化镓 做衬底制作的器件非常适合用在3C产品的 射频 领域。. 由于GaAs存在 异质结 和2DEG结构,因此电子的 迁移率 和浓度都更高,更适合做高频器件。. n型GaAs中电子迁移率和 饱和 ...
第二代及第三代半导体发展前景如何? - 知乎
第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)为主的化合物半导体,其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件,在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域有较为广泛的应用。
砷化镓到底是不是本征半导体呀? - 知乎
没有受过掺杂的GaAs当然是本征的。. 其实我真不懂问题的意思,按照我的理解,没掺杂的都是本征半导体. 知乎,中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台,于 2011 年 1 月正式上线,以「让人们更好的分享知识、经验和见解,找到自己的解答」 ...
GaAs bihemt在5G射频前端的应用? - 知乎
PA还是GaAs HBT,SWITCH LNA用soi。 手机射频开关很复杂,bihemt做起来很不方便,况且gaas pa 和开关之间还会有输出匹配,duplexer,滤波器之类的电路,强行做在一个die上没什么意义。
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